طراحی، رشد و مشخصه نگاری نیمه هادی های III-V با دستگاه “رونشستی پرتو ملکولی” ( MBE ) جهت ساخت افزارها فوق مدرن

 

عنوان:
طراحی، رشد و مشخصه نگاری نیمه هادی های III-V با دستگاه “رونشستی پرتو ملکولی” ( MBE ) جهت ساخت افزارها فوق مدرن

سخنران: آقای دکتر وحید یزدان پناه
از دانشگاه علم و صنعت

تاریخ: شنبه ۲ اردیبهشت ۱۳۹۶ ساعت ۳ تا ۴
مکان : تالار این هیثم – دانشکده فیزیک

طراحی پوستر : شیوا صداقت

چکیده :

طراحی، رشد و مشخصه نگاری نیمه هادی های III-V با دستگاه “رونشستی پرتو ملکولی” ( MBE ) جهت ساخت افزارها فوق مدرن
در این سخنرانی 3 بخش زیر به طور مختصر مرور خواهد شد:
1- مطاله و مشحصه نگاری باز ساخت سطح High Index GaAs
2- طراحی و رشد آشکار گرهای مادون قرمز
3- چالشها در صنعتی سازی افزارهای الکترونیکی گروه III-V
1- GaAs High Index
در چند دهه گذشته مطالعات وسیعی در زمینه ساختار سطحی GaAs Low Index انجام شده است اما ابعاد مختلف GaAs High Index هنوز ناشناخته است. در بخش اول این سخنرانی، تحولات نانو ساختار GaAs 311, GaAs711, GaAs 331 مطالعه و برسی میشود. برای مثال بیان میشود که چگونه GaAs 311 بستری مناسب برای رشد افزارهای نیمه هادی ها و ساختارهای کوانتمی ( Quantum Wellو Quantum Dots ) است. از طرف دیگر GaAs 331 با سطوح اریبی در جهت های 110 و 111 ،بستری مناسب برای رشد Quantum Wires است.

2- آشکار گرهای مادون قرمز
طیف گسترده آشکار گرهای مادون قرمز کاربرد وسیعی در کیهان شناسی، صنعت، نظامی، امنیتی، و پزشکی دارد. InAs/GaSb TypeII از جمله موادی هستند که توانایی بالا در تولید اشکار گرهای مادون قرمز دارند. در ادامه، به برسی مدل سازی، رشد، اندازه گیری، و فبریکیشن افزارهای آشکار گرهای مادون قرمز از 1.5 ماکرون تا 35 ماکرون با InAs/GaSb TypeII می پردازیم.

3- چالشها در صنعتی سازی افزارهای الکترونیکی
پایدار نگه داشتن پروسه، بهبود بازده ، توانایی پروسه، ضریب اطمینان، با پایین ترین هزینه از چالشهای تولید صنعتی افزارهای GaAs InP است. در پایان، به چالشهای موجود در تولید صنعتی افزارهای الکترونیکیHBT , PHEMT بر روی GaAs ,InP اشاره ای خواهیم داشت.

پاسخ دهید